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為配合《中國(guó)制造2025》穩(wěn)步實(shí)施，出臺(tái)《集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》（簡(jiǎn)稱《推進(jìn)綱要》）。集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金積極發(fā)力，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)保持平穩(wěn)快速的發(fā)展態(tài)勢(shì)。
2016年，武漢、深圳、合肥、泉州等多地紛紛擬布局或開(kāi)工建設(shè)存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)線。全球存儲(chǔ)器業(yè)自1999年始，歷經(jīng)六次大的兼并與退出，廠家數(shù)量越來(lái)越少，今為止DRAM方面只剩下三家，包括三星、海力士和美光。而閃存方面也只有三星、東芝/閃迪、海力士以及美光/英特爾等四組。存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域很久沒(méi)有“新進(jìn)者”出現(xiàn)了。
中國(guó)此輪“存儲(chǔ)熱潮”既說(shuō)明《推進(jìn)綱要》階段實(shí)施工作已取得顯著成果，也預(yù)示著下一輪全球存儲(chǔ)器發(fā)展的將逐步向中國(guó)轉(zhuǎn)移。未來(lái)，隨著《推進(jìn)綱要》實(shí)施的不斷深化，將進(jìn)一步調(diào)動(dòng)國(guó)內(nèi)資源積極性，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同能力不斷增強(qiáng)，進(jìn)而促進(jìn)技術(shù)進(jìn)步，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在存儲(chǔ)器等重大產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)?shí)現(xiàn)突破性進(jìn)展。
中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2016年上半年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額1574億美元，同比下降了5.8%。受此影響，上半年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額同比增長(zhǎng)16.1%，比季度增幅下降了0.4個(gè)百分點(diǎn)，銷售額為1847.1億元。其中，設(shè)計(jì)業(yè)銷售額為685.5億元，同比增長(zhǎng)24.6%；制造業(yè)銷售額454.8億元，同比增長(zhǎng)14.8%；封裝測(cè)試業(yè)銷售額706.8億元，同比增長(zhǎng)9.5%。
但由于起步較晚，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)整體水平較低，總體上處于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的低端水平，高端產(chǎn)品基本上被歐洲、美國(guó)和日本等發(fā)達(dá)和地區(qū)的企業(yè)壟斷。我國(guó)每年仍需進(jìn)口大量集成電路產(chǎn)品，以滿足國(guó)內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。
中國(guó)創(chuàng)造，須有產(chǎn)權(quán)保護(hù)
當(dāng)前，為加快我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，技術(shù)創(chuàng)新能力，我國(guó)亟需繼續(xù)加大集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)的保護(hù)力度。然而，在實(shí)踐中，集成電路布圖設(shè)計(jì)登記、侵權(quán)比對(duì)、侵權(quán)判定等各個(gè)環(huán)節(jié)仍存在諸多問(wèn)題。
按照相關(guān)規(guī)定，權(quán)利人在申請(qǐng)登記集成電路布圖設(shè)計(jì)時(shí)，必須提交紙質(zhì)復(fù)制件或圖樣，還可以選擇提交電子文檔，并在集成電路布圖設(shè)計(jì)已經(jīng)投入商業(yè)使用的前提下提交芯片，但實(shí)踐中經(jīng)常出現(xiàn)權(quán)利人提交的3種載體的內(nèi)容不一致的情況。
我國(guó)集成電路布圖設(shè)計(jì)實(shí)行的是登記制，權(quán)利人只有到知識(shí)產(chǎn)權(quán)局對(duì)集成電路布圖設(shè)計(jì)進(jìn)行登記才能獲得專有權(quán)。但是，權(quán)利人提交的不同載體的內(nèi)容必須是一致的，如果出現(xiàn)不一致的情況，應(yīng)以紙質(zhì)復(fù)制件或圖樣為準(zhǔn)。
集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)的另一個(gè)難點(diǎn)問(wèn)題是對(duì)其獨(dú)創(chuàng)性的判斷。根據(jù)《集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例》的規(guī)定，只有具有獨(dú)創(chuàng)性的布圖設(shè)計(jì)才能受到保護(hù)，即需要同時(shí)滿足“獨(dú)”和“創(chuàng)”兩個(gè)條件。一般來(lái)說(shuō)，布圖設(shè)計(jì)都是在現(xiàn)有研究成果的基礎(chǔ)上進(jìn)行再創(chuàng)新，而布圖設(shè)計(jì)中的常規(guī)設(shè)計(jì)不受保護(hù)。
隨著集成電路集成度不斷增加，功能單元越來(lái)越小，設(shè)計(jì)者在滿足越來(lái)越苛刻的設(shè)計(jì)要求和原則的條件下，難以在設(shè)計(jì)高度和內(nèi)容上有很多創(chuàng)新突破和變化，因此布圖設(shè)計(jì)的“創(chuàng)”低于我國(guó)專利法中的創(chuàng)造性高度。
對(duì)于集成電路布圖設(shè)計(jì)面臨的保護(hù)難題，知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利復(fù)審委員會(huì)電學(xué)申訴一處負(fù)責(zé)人表示，集成電路布圖設(shè)計(jì)登記門檻低，是與其登記后的保護(hù)強(qiáng)度低相對(duì)應(yīng)的，如果想要獲得較高強(qiáng)度的保護(hù)，可以通過(guò)提交專利申請(qǐng)來(lái)實(shí)現(xiàn)?！锻七M(jìn)綱要》也加強(qiáng)了對(duì)集成電路布圖設(shè)計(jì)的保護(hù)力度。
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